BCX41TA

BCX41TA Diodes Incorporated


BCX41.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCX41TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 800mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BCX41TA за ціною від 5.42 грн до 42.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCX41TA BCX41TA Виробник : Diodes BCX41.pdf SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41TA BCX41TA Виробник : Diodes Incorporated BCX41.pdf Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.57 грн
22+13.99 грн
100+8.78 грн
500+6.11 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41TA BCX41TA Виробник : Diodes Zetex bcx41.pdf Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+42.44 грн
30+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41TA BCX41TA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005424645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41TA BCX41TA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005424645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.