на замовлення 1860 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 9.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
4-5 дні (днів)
Мінімальна партія:
82 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX41TA Diodes
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 310mW, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 800mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCX41TA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCX41TA | Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BCX41TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BCX41TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BCX41TA | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 125V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Current gain: 25...63 Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 1000pcs. |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BCX41TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BCX41TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 310mW Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 800mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BCX41TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCX41TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41TA |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 25...63
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 330mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 125V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 25...63
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41TA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41TA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 800mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 800mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.