Продукція > GT6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GT64261BBOGALILEO
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT64261BC0-BBD-C100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT64261BC0-BBD-C133
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT64261BC0-BBD-I100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT64261BC0-BBD1C133MarvellBGA 665/C°/64-bit PowerPC Systems controller,2x32 bit PCI interfaces GT64261BC0
кількість в упаковці: 21 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT64261BC0-BBD1I100Marvell64-BIT POWERPC SYSTEMS CONTROLLER, 2X32 BIT PCI INTERFACES,2 10/100 MACS, 1 GT64261BC0
кількість в упаковці: 21 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT64262BC0-BBD-C100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT64262BC0-BBD-C133
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT64262BC0-BBD-I100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6801
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT6801F2000 QFP
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT6816-002A-PQ011
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT6A-24-M2SC-03B1-(21)-RJAE ElectronicsStandard Circular Connector
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT6A-24-M2SCW-03B1-(21)-RJAE ElectronicsDescription: CONNECTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6A-24-M2SCW-03B1-(21)-RJAE ElectronicsStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6A-24-M2SCW-03B1-(21)-RKJAE ElectronicsJAE Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6A-24-M2SCW-03B1-(21)-RKJAE ElectronicsDescription: CONNECTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IHGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IHGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+22.93 грн
100+14.26 грн
500+14.11 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IHGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.74 грн
1000+14.14 грн
1011+13.99 грн
1022+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.81 грн
100+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KHGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+21.43 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KHGOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -4.3A; 25W; TO252
Mounting: SMD
Technology: SGT
Drain current: -4.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Power dissipation: 25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KHGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+45.34 грн
25+44.89 грн
100+28.65 грн
500+20.84 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KHGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.70 грн
100+17.81 грн
500+12.69 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6L-28-M12SC-53B1-(25)JAE ElectronicsStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6L-28-M12SC-53B1-(25)JAE ElectronicsDescription: Interconnect Circular
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6L-28-M12SC-53B1-(25)-RJAE ElectronicsStandard Circular Connector
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT6L-28-M12SC-53B1-(25)-RJAE ElectronicsDescription: CONNECTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6L-28-M12SC-53B1-(25)-RKJAE ElectronicsStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6L-28-M12SC-53B1-(25)-RKJAE ElectronicsDescription: CONNECTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.