Продукція > NTL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A39PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGonsemiMOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+52.00 грн
100+34.31 грн
500+25.06 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGON Semiconductor
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A40PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 900422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1016+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 1016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3A90PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1030+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 1030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4195PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
на замовлення 26899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4930NTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTBGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C12NTBGonsemiDescription: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C16NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C16NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS4C16NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4