Продукція > ONSEMI > NTLUS3C18PZTBG
NTLUS3C18PZTBG

NTLUS3C18PZTBG onsemi

ntlus3c18pz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
683+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLUS3C18PZTBG onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTLUS3C18PZTBG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTLUS3C18PZTBG NTLUS3C18PZTBG onsemi ntlus3c18pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBG NTLUS3C18PZTBG ON Semiconductor NTLUS3C18PZ-D-599985.pdf MOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBG ntlus3c18pz-d.pdf
NTLUS3C18PZTBG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS3C18PZTBG NTLUS3C18PZ-D-599985.pdf
NTLUS3C18PZTBG
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.