Продукція > RMW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RMWA1225JT560RStackpole Electronics IncDescription: RES, 1225, 560 OHM, 5%, 2W, AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.256" W (3.20mm x 6.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWA1225JT560R-HPStackpole Electronics IncDescription: RES, 1225, 560 OHM, 5%, 3W, AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.256" W (3.20mm x 6.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWA1225JT5K60Stackpole Electronics IncDescription: RES, 1225, 5.6 KOHM, 5%, 2W, AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.256" W (3.20mm x 6.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWA1225JT5K60-HPStackpole Electronics IncDescription: RES, 1225, 5.6 KOHM, 5%, 3W, AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.256" W (3.20mm x 6.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWA1225JT82K0-HPSEI StackpoleThick Film Resistors - SMD 82kOhm 1225 3W 5% 100ppm Wide Terminal AEC-Q200 High Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWA1225JT910RStackpole Electronics IncDescription: RES, 1225, 910 OHM, 5%, 2W, AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.256" W (3.20mm x 6.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWA1225JT910R-HPStackpole Electronics IncDescription: RES, 1225, 910 OHM, 5%, 3W, AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.256" W (3.20mm x 6.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWNK212B471KQ-T
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWS0404
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWS0410
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40/+85C
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#AC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4347.82 грн
10+3866.16 грн
25+3740.32 грн
50+3422.11 грн
100+3335.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#AC0RENESASDescription: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#AC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#KC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4347.82 грн
10+3866.16 грн
25+3740.32 грн
50+3422.11 грн
100+3335.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#KC0RENESASDescription: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#KC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4434.88 грн
5+4185.34 грн
10+3934.98 грн
25+3484.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#KC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 328-337 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#KC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV3216AGBG-5S2#KC0RENESASDescription: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#KC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 2Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3934.98 грн
25+3484.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGBG-5S2#AC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3257.53 грн
10+2898.90 грн
25+2805.26 грн
50+2566.95 грн
100+2502.24 грн
253+2417.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGBG-5S2#AC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 64MB ADV. 3V BGA48 55NS -40TO85C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGBG-5S2#KC0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGBG-5S2#KC0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 64MB ADV. 3V BGA48 55NS -40TO85C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMWV6416AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3208.30 грн
5+3092.06 грн
10+2975.01 грн
25+2663.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5072.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#KA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#KA0Renesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSD-5S2#AA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 64MBIT PAR 52TSOP II
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3051.39 грн
10+2416.59 грн
25+2236.43 грн
40+2017.15 грн
80+1960.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSD-5S2#AA0RENESASDescription: RENESAS - RMWV6416AGSD-5S2#AA0 - SRAM, LPSRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, UTSOP-II, 52 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UTSOP-II
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: LPSRAM
Speicherkonfiguration: 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4875.44 грн
5+4631.59 грн
10+4538.93 грн
25+4128.67 грн
50+3731.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSD-5S2#AA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSD-5S2#HA0Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 64MBIT PAR 52TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSD-5S2#HA0Renesas ElectronicsSRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4