Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RMWV6416AGSA-5S2#AA0
RMWV6416AGSA-5S2#AA0

RMWV6416AGSA-5S2#AA0 Renesas Electronics Corporation

rmwv6416a-series-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5015.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RMWV6416AGSA-5S2#AA0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RMWV6416AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RMWV6416AGSA-5S2#AA0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 RMWV6416AGSA-5S2#AA0 Renesas Electronics r10ds0278ej0200_memory.pdf SRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 RMWV6416AGSA-5S2#AA0 RENESAS rmwv6416a-series-datasheet Description: RENESAS - RMWV6416AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 r10ds0278ej0200_memory.pdf
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 64MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 rmwv6416a-series-datasheet
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RMWV6416AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.