Продукція > SPI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SPI15N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI15N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+151.18 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI170A0-4A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-Fed INV 480V 170A High OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI170A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 170A HIGH OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60C3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60C3InfineonTO262-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+137.92 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60CFDHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+201.93 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N60CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N65C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N65C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N65C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI20N65C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21-74
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI214SANYO04+ 13.5mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI216SANYO04+ 14mm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3Infineon technologies
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3HKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 560V 21A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI228SANYO04+
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI230SANYO04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI232SANYO04+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI234SANYO04+
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI235
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI235-18SANYO04+ 12.2mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI236
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI237SANYO04+ 12mm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI238SANYO04+ 13mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI240
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI2566SV325838SFSMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 SODIMM 2GB 256Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI2566UV325838SFSMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 UDIMM 2GB 256Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI261A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 261A HIGH OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI302SANYO04+
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI3102R1SANKEN
на замовлення 25022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI3103R1SANKEN
на замовлення 32993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI315SANYO04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI319-01-BCSANYO04+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI320-BCSANYO04+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI321618-220K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI325A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 325A HIGH OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI333-34SANYO04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI335SANYO04+
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI336SANYO04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI35N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI3811-HV096
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI385A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 385A HIGH OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI42N03S2L-13
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI42N03S2L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 37µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI460A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 460A HIGH OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI460A0-5A3N2Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 460A HIGH OVERLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI47N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI47N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI47N10L
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI502A0-5A3N1Eaton ElectricalMotor Drives SPI9000 DC-FED INV 575V 502A HIGH OVLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI50X3S240
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI5126SV351838SESMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 SODIMM 4GB 512Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI5126UV351838SESMART Modular TechnologiesMemory Modules DDR3 UDIMM 4GB 512Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI60R250CP/6R250P
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI632.1CAR
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI70N10L
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI70N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI7210M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI7215M
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI73N03S2L-08Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI73N03S2L-08
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI7820AIJA9307-K1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI7820AIJP9239-A3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8001TW
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8001TWR1SANKEN
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8002TW
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8002TWR1SANKEN
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8003TWR1SANKEN
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8010ASANKENSOP16 03+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI8010AR1SANKEN
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2-03Infineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2-03INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-03
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-03Infineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-04
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-04Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-05Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-05Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI80N03S2L-05
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.