SPI21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
![SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085](/images/adobe-acrobat.png)
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.61 грн |
| 50+ | 148.18 грн |
| 100+ | 134.53 грн |
| 500+ | 103.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPI21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPI21N50C3XKSA1 за ціною від 132.47 грн до 132.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPI21N50C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 560V Drain current: 21A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 95nC |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
 |
SPI21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
SPI21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 560V 21A I2PAK-3 |
товару немає в наявності |