Продукція > 2SK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK2863 | TOSHIBA | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2864 | SANYO | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2864-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK2864-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.09 ohm, ZP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: ZP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2864-TL-E | onsemi | Description: NCH 10V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2864-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 200V 20A 3-Pin ZP | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2865 | Toshiba | MOSFETs MOLD PLN,ACTIVE,DISCON(05-04)/PHASE-OUT(05-07)/OBSOLETE(05-10),DISCON-->2005-09-27 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865 Код товару: 144197
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2865 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2865(T6L1IKE,NQ | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1,N) | Toshiba | MOSFETs MOLD PLN,DISCON(05-04)/PHASE-OUT(06-07)/OBSOLETE(06-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFETs Pb-FF NEW PW-MOLD,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1NQ) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2866 (F) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866(F) | Toshiba | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TO-220ABL MOQ=50 PD=125W F=1MHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2867 | SANYO | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2867-TB | SANYO | SOT-23 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2sK2869 | HITACHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2869-90STR | RENESAS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2869-91L | Renesas | 2SK2869-91L | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2869-91L | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2869-92STR | Renesas | 2SK2869-92STR | на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2869-92STR | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2869L | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2869L-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2869S | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2869S(транзистор) Код товару: 67288
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2869STL-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2869STR-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2870-01S | FUJI | 05+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2871-01 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2873 | FST | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2876 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2876-01MR-F | на замовлення 728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2877 | FST | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK287701 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2879 | FST | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK288 | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2882 | TOS | на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2882 | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2883 | Toshiba | N-MOSFET 3A 800V 75W 3.0Ω 2SK2883 T2SK2883 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2883(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884 | TOSHIBA | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF 220FL PLN,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(SM,Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF TO220SM,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(SM,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(TE24L) | Toshiba | MOSFET Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(TE24L,Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF 220SM PLN,PRE-ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2884(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2885-01STR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2885L | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2885S | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2886 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2886 | Toshiba | MOSFET 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2886(транзистор) Код товару: 59839
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2887 | ROHM | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2887 TLQ | ROHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2887TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: CPT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2887TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2889 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2889 | Toshiba | MOSFETs 220FL PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(11-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2889(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2889(TE24L.Q) | Toshiba | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2896-01L | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2896-01S | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2901-01S-TE24R | FHJI | 00+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2907-01R | FUJI | TO-3P | на замовлення 5340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2908-01S-TE24R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK290801S | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2909 | SANYO | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2909-TB | SAYNO | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2909-TB-E/DK | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2909/DK | SANYO | 09+ | на замовлення 123018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2909\DK | SANYO | SOT-23 | на замовлення 123100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2910 | SANYO | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2911 | SANYO | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2911-TB | SANYO | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2911-TB-E | SANYO | 05+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2912 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2912-90STL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: NCH POWER MOSFET 60V 40A 20MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2914 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2915 | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2915 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2915 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2915(Q,T) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson 0.4 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2916 | Toshiba | MOSFETs TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2916 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2916(F) | TOS | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2916(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N)IS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2917 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2917 Код товару: 42815
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3P Uds,V: 500 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2917 | Toshiba | MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2917(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N)IS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2917(F) | Toshiba | MOSFET N-ch 500V 18A 0.27 ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2917(F) | Toshiba | N-Channel 18 A, 500 V, TO-3P Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK291801 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

