Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 50 53  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD70GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK20SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK22SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70GK24SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02LST07+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02LSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 24V 0.0068 Ohm 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02L
Код товару: 41012
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02LSTMMOSFET N-CHAN 24V 60A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02L-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 25V-0.0068ohms 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02L-1
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N02LH5
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N03-01
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N03L
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N03LSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 30V 0.0059 Ohm 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N03L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 70A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.49 грн
10+146.00 грн
25+144.54 грн
100+101.86 грн
250+93.37 грн
500+71.66 грн
1000+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.83 грн
10+116.24 грн
100+88.60 грн
500+71.03 грн
1000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.49 грн
97+146.00 грн
98+144.54 грн
134+101.86 грн
250+93.37 грн
500+71.66 грн
1000+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMMOSFET N-CH 100V 60A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+85.82 грн
100+82.55 грн
500+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.60 грн
500+71.03 грн
1000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N2LH5
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N2LH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N2LH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N2LH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 25V-0.006ohms 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N6F3STMicroelectronicsSTD70N6F3 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N6F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60V 8.0 mOhm 70A STripFET III
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N6F3
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+116.99 грн
100+80.51 грн
500+60.91 грн
1000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N6F3STMicroelectronicsSTD70N6F3 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NF3LL
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02L-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02LT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NS04ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 33V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NS04ZLSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch Clamped 9.5 ohm 70 A DPAK SAFeFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NS04ZL
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70NS04ZLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70R1K3SSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70R1K3SSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 700 V, 1.3 Ohm typ., 5 A Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD724ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD724T4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD724T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 3A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD725HoneywellSTD725
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+74594.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD735HoneywellSTD735
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79420.47 грн
20+74618.65 грн
30+71601.47 грн
40+62767.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7360
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD75N3LL
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V MDmesh STRIPFET IV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD75N3LLH6
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD75N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD75N3LLH6-HSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD75N3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 0.0035 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD75NF75T4
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD78N75F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD790AST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD790AT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD790AT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD790T4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 14nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.61 грн
100+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7ANM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 5A; 85W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 12nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.70 грн
10+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+114.05 грн
100+78.41 грн
500+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52DK3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52DK3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 737 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52K3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 50 53  Наступна Сторінка >> ]