Продукція > STD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD70GK08 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK12 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK14 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK16 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK18 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK20 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK22 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70GK24 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L | ST | 07+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 24V 0.0068 Ohm 60A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L Код товару: 41012
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD70N02L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 25V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L | STM | MOSFET N-CHAN 24V 60A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 25V-0.0068ohms 60A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 25V 60A IPAK Part Status: Obsolete Supplier Device Package: I-PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N02L-1 | на замовлення 7890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N02LH5 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N03-01 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N03L | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N03L | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 30V 0.0059 Ohm 70A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N03L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 70A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N03L-1 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 70A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A | на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STM | MOSFET N-CH 100V 60A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N10F4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N10F4 | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N2LH5 | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N2LH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 25V 48A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±22V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N2LH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N2LH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch, 25V-0.006ohms 48A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N6F3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N6F3 | STMicroelectronics | STD70N6F3 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N6F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60V 8.0 mOhm 70A STripFET III | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70N6F3 | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70N6F3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD70N6F3 | STMicroelectronics | STD70N6F3 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NF3LL | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70NH02 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70NH02L | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NH02L-1 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NH02LT4 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NH02LT4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NS04ZL | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 33V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NS04ZL | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch Clamped 9.5 ohm 70 A DPAK SAFeFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70NS04ZL | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD70NS04ZL | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 33V 70A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70R1K3S | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD70R1K3S | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 700 V, 1.3 Ohm typ., 5 A Power MOSFET in a DPAK package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD724 | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD724T4 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD724T4 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 3A DPAK Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD725 | Honeywell | STD725 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD735 | Honeywell | STD735 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7360 | на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD75N3LL | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD75N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 30 V MDmesh STRIPFET IV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD75N3LLH6 | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD75N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD75N3LLH6-H | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD75N3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 30 V, 0.0035 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM, POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD75NF75T4 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD78N75F4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 75V 78A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5015 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD790A | ST | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD790AT4 | ST | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD790AT4 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD790T4 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 45W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 14nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7ANM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 5A; 85W; DPAK; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 1.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Gate charge: 12nC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7LN80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V | на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7N20 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STD7N52DK3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 620V 0.98 ohm 6.2A SuperFREDmesh3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N52DK3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N52K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 737 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N52K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7N52K3 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 3.8A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N52K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK | на замовлення 4759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N52K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STD7N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD7N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

