STD70N10F4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 88.63 грн |
| 500+ | 71.05 грн |
| 1000+ | 57.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD70N10F4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD70N10F4 за ціною від 54.92 грн до 239.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD70N10F4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD70N10F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD70N10F4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD70N10F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD70N10F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD70N10F4 |
|
на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
STD70N10F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD70N10F4 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD70N10F4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |