Продукція > STMICROELECTRONICS > STD70N10F4
STD70N10F4

STD70N10F4 STMicroelectronics

en.CD00218149.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.44 грн
10+112.74 грн
100+77.07 грн
500+58.00 грн
1000+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD70N10F4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm.

Інші пропозиції STD70N10F4 за ціною від 62.16 грн до 241.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.95 грн
10+145.67 грн
25+144.22 грн
100+101.63 грн
250+93.16 грн
500+71.50 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.95 грн
97+145.67 грн
98+144.22 грн
134+101.63 грн
250+93.16 грн
500+71.50 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 STD70N10F4 STMICROELECTRONICS 2310130.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 11298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics en.CD00218149.pdf MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 STD70N10F4 STMICROELECTRONICS 2310130.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 11298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 en.CD00218149.pdf
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+241.95 грн
10+145.67 грн
25+144.22 грн
100+101.63 грн
250+93.16 грн
500+71.50 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+241.95 грн
97+145.67 грн
98+144.22 грн
134+101.63 грн
250+93.16 грн
500+71.50 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 2310130.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 11298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 en.CD00218149.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 2310130.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 11298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD70N10F4 en.CD00218149.pdf
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.