Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 55 57  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SD2673TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A TSMT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.18 грн
10+48.69 грн
100+31.91 грн
500+23.16 грн
1000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2673TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+24.04 грн
610+23.17 грн
1000+22.41 грн
2500+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.94 грн
11+28.52 грн
100+18.26 грн
500+12.98 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+35.28 грн
521+27.10 грн
1000+22.58 грн
2000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLROHMDescription: ROHM - 2SD2674TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 1.5A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TSMT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+12.79 грн
1141+12.37 грн
2500+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 1103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2674TLROHMDescription: ROHM - 2SD2674TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675ROHMSOT23
на замовлення 34603 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+24.77 грн
592+23.88 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.80 грн
10+30.82 грн
100+19.89 грн
500+14.25 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.78 грн
336+42.03 грн
500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+12.00 грн
1306+10.81 грн
1354+10.42 грн
2000+9.56 грн
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2675TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2679T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2679T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD268TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2686Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2686(TE12L,ZC)ToshibaTrans Darlington NPN 70V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+48.73 грн
593+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2686(TE12L,ZC)ToshibaTrans Darlington NPN 70V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+23.44 грн
625+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2687STPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 12V 5A 3-Pin SPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2687STPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 5A 3-Pin SPT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1290+10.94 грн
1334+10.58 грн
2500+10.27 грн
5000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 1290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2688LS-YB11SANYO07+ TO220F
на замовлення 18834 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2689
Код товару: 101600
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2689LSonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD269TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CANO,A,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CANO,F,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 2A 60V TO226-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695(T6CNO,A,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2695,T6F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 60V 2A TO-92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2696T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2696T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.4A VMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Supplier Device Package: VMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2696T2LROHMDescription: ROHM - 2SD2696T2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 400 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2696T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-723, 30V 400mA, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2696T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.4A VMT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Supplier Device Package: VMT3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.47 грн
16+19.36 грн
100+12.23 грн
500+8.58 грн
1000+7.64 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2696T2LROHMDescription: ROHM - 2SD2696T2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 400 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD26ATOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD26BTOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD26CTOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD27
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD270TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700ROHM09+
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 2A TUMT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700TLROHMDescription: ROHM - 2SD2700TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 2A
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 2A TUMT3
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700TLROHMDescription: ROHM - 2SD2700TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2700TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+10.38 грн
1406+10.04 грн
2500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2701TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 2A TUMT3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2701TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+78.84 грн
500+48.55 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2701TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2701TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 2A
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2701TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 2A TUMT3
на замовлення 6243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2701TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+17.99 грн
814+17.34 грн
1000+16.77 грн
2500+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2702TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+12.79 грн
1141+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 1103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2702TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 12V 1.5A NPN LOW
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2702TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2702TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.84 грн
10+36.86 грн
100+27.50 грн
500+20.28 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLROHMDescription: ROHM - 2SD2703TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+42.34 грн
639+22.11 грн
1000+20.60 грн
2000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V 1A NPN LOW
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+12.79 грн
1141+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 1103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TLROHMDescription: ROHM - 2SD2703TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 400 mW, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704K-T146VROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704K-T146WROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+15.78 грн
928+15.21 грн
1000+14.71 грн
2500+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.3A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.97 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146ROHMDescription: ROHM - 2SD2704KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+23.61 грн
1146+12.32 грн
2000+11.48 грн
3000+10.16 грн
6000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.3A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2704KT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A
на замовлення 8908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2705STPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.3A 3-Pin SPT T/R
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+8.96 грн
1629+8.66 грн
2500+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 1576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2705STPRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.3A SPT
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: SPT
Frequency - Transition: 35MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2707T2LVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2707T2LVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+19.02 грн
770+18.34 грн
1000+17.73 грн
2500+16.60 грн
5000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2707T2LVROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.15A
на замовлення 16916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2707T2LVRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2707T2LVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+19.02 грн
770+18.34 грн
1000+17.73 грн
2500+16.60 грн
5000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2707T2LVRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 105845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.25 грн
2044+6.91 грн
2090+6.75 грн
2159+6.31 грн
8000+5.68 грн
16000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD271TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2719(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 70V 0.8A 1250mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.51 грн
732+19.29 грн
1000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD272TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD273TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD274TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2740KROHM09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD275TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD276TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2767FUJIMODULE
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 55 57  Наступна Сторінка >> ]