Продукція > BY2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | EIC | Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | MIC | 3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 DO201AD MIC rectifier diode DP BY255 кількість в упаковці: 1250 шт | на замовлення 6650 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 Код товару: 34884
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-27 Uзвор., В: 1300 В Iвипр., А: 3 А | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||||
| BY255 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; tape; Ir: 5uA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5µA Case: DO201AD Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 1.3kV Load current: 3A Kind of package: tape | на замовлення 422 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | LGE | 3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 DO27amm LGE rectifier diode DP BY255 LGE кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec | Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 100A; DO201; Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5µA Case: DO201 Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 1.5µs Mounting: THT Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 1.3kV Load current: 3A Max. load current: 20A Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 415 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255G | Yangjie Electronic Technology | General Purpose Rectifier | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255G | Yangjie Technology | Description: DO-201AD 1300V 3.0A Diodes Rec Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Active | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255GP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-7000HE3/54 | Vishay Semiconductors | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/1 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/23 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/51 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/1 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/23 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY255P-E3 | Vishay | DO-201 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; 13 inch reel Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 3µs Mounting: THT Max. forward impulse current: 150A Manufacturer standard package: 1400pcs. Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 1.3kV Load current: 3A Kind of package: 13 inch reel | на замовлення 5027 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 5288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 Код товару: 213845
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 18443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | VISHAY | Description: VISHAY - BY255P-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.3 kV, 3 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BY255 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 19743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 5027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | на замовлення 18200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1.1V Semiconductor structure: single diode Case: DO201AD Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 3µs Mounting: THT Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Max. off-state voltage: 1.3kV Load current: 3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3\73 | Vishay | Rectifiers 3A,1300V, STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25C | ABB Installation Products | Punches & Dies OD COMPRESSION DIE SIZE 9/16TAN/ORG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D10ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D10ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D10ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D10ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8USON Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 7 ns Memory Interface: SPI - Dual I/O Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Memory Format: FLASH Clock Frequency: 108 MHz Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 7 ns Memory Interface: SPI - Dual I/O Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Supplier Device Package: 8-TSSOP Memory Format: FLASH Clock Frequency: 108 MHz Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 7 ns Memory Interface: SPI - Dual I/O Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Supplier Device Package: 8-TSSOP Memory Format: FLASH Clock Frequency: 108 MHz Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8SOP Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 7 ns Memory Interface: SPI - Dual I/O Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Clock Frequency: 108 MHz Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-SOP Memory Format: FLASH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8SOP Clock Frequency: 108 MHz Technology: FLASH - NOR Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 7 ns Memory Interface: SPI - Dual I/O Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Supplier Device Package: 8-SOP Memory Format: FLASH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25FQ128ELSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V), | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25FQ128ELSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V), | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|