BY25FQ256ESEIG(R) BYTe Semiconductor
Виробник: BYTe Semiconductor
Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.52 грн |
| 10+ | 124.99 грн |
| 25+ | 121.40 грн |
| 50+ | 111.38 грн |
| 100+ | 108.79 грн |
| 250+ | 105.39 грн |
| 500+ | 101.15 грн |
| 1000+ | 98.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BY25FQ256ESEIG(R) BYTe Semiconductor
Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-WSON (8x6), Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 32M x 8.
Інші пропозиції BY25FQ256ESEIG(R)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BY25FQ256ESEIG(R) | BYTe Semiconductor |
Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BY25FQ256ESEIG(R) |
|
Виробник: BYTe Semiconductor
Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.