Продукція > BYM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYM11-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-600HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt | на замовлення 3393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 5509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3-B/H | Vishay | Vishay 1A 800V 500NS SUPERECT MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | Vishay | 1A,800V,500NS,SUPERECT MELF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,800V,500NS, GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,800V,500NS, GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM11-800HE3_A/I | Vishay | 1A,800V,500NS,SUPERECT MELF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 6333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 39690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3\96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,100V,50NS,UF SURPERECT,MELF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100-E3\97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,100V,50NS,UF SURPERECT,MELF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3-B/I | Vishay | Vishay 1A,100V,50NS,UF SURPERECT,MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150/26 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS,UF SURPERECT,MELF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,150V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,150V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-150HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200 | TSC | DO-213AB | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/76 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYM12-200-E3/97 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200V 50ns | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; DO213AB,GL41; Ufmax: 1V Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel Load current: 1A Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 200V Quantity in set/package: 1500pcs. Case: DO213AB; GL41 Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 20pF Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 50µA | на замовлення 342 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM12-200-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYM12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200V 50ns | на замовлення 4405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 15419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - BYM12-200-E3/96 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYM12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BYM12-200-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200/46 | VISHAY | D0213AB | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-200HE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 300 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 300V 1A 50ns 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,300V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,300V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-300HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | Vishay | DO-213AB (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400 | VISHAY | SOD-87 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BYM12-400-E3/76 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400V 50ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

