Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments Код товару: 108023
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | TI | 0950+ QFN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 29715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | на замовлення 4839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | на замовлення 4285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16411Q3/2801 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A Код товару: 144313
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | TI/BB | 09+ | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 24, Ciss, пФ @ Uds, В = 1780, Qg, нКл = 11,7, Rds = 3,9 мОм, Ugs(th) = 1,9, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: 8-VSONP(5x6)mm Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +16V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +16V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 4749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD164 A 595-CSD16415Q5T | на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 990 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16415Q5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25V NexFET N Ch Pwr MosFET | на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | на замовлення 4406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | N-Channel 25V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16556Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD16570Q5BT | на замовлення 3196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 2623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.82 mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT Код товару: 196756
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 85 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B | на замовлення 10537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V | на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

