Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 12934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 4100 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 4100 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A SON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V | на замовлення 24723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V | на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 4461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | N-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16406Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16406Q3 MOSFET N-канал - Texas Instruments Код товару: 108023
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | TI | 0950+ QFN | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16407Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 29715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16408Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16409Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16410Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V | на замовлення 4839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V | на замовлення 4285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16411Q3/2801 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | TI/BB | 09+ | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V | на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16412Q5A Код товару: 144313
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD16412Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 24, Ciss, пФ @ Uds, В = 1780, Qg, нКл = 11,7, Rds = 3,9 мОм, Ugs(th) = 1,9, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: 8-VSONP(5x6)mm Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16413Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +16V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +16V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16414Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 3893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD164 A 595-CSD16415Q5T | на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 990 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16415Q5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16415Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

