Інші пропозиції CSD16412Q5A за ціною від 20.57 грн до 102.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD16412Q5A | Texas Instruments |
MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD16412Q5A | Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD16412Q5A | TI/BB |
09+ |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD16412Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.62 грн |
| 10+ | 57.72 грн |
| 100+ | 33.27 грн |
| 500+ | 25.96 грн |
| 1000+ | 23.54 грн |
| 2500+ | 21.54 грн |
| 5000+ | 20.57 грн |
| CSD16412Q5A |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
Description: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.52 грн |
| 10+ | 62.15 грн |
| 100+ | 41.27 грн |
| 500+ | 30.32 грн |
| 1000+ | 27.61 грн |
| CSD16412Q5A |
![]() |
Виробник: TI/BB
09+
09+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




