Продукція > RFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFP50N06R4034 | Harris Corporation | Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP50N06R4034 | HARRIS | RFP50N06R4034 | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP50N06S5001 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP50N06_F102 | Fairchild Semiconductor | Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP50N06_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP50N06_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220AB N-CH POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP50N60 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP515538-1 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP515538-2 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP515538-3 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP515538-5 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP54N06 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP6002 | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP60N03 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP60N06 | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP60P06 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP6120 | BGA | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RFP62010 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP62011 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP6N45 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP6N50 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP6P08 | на замовлення 1324 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP6P10 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 42094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N03 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 5567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N03 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP70N03 | HAR | 2000 TO-220 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP70N03 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP70N03SM | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP70N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 33029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC | на замовлення 395 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06 RFP70N06 TRFP70N06 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - RFP70N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 4881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 Код товару: 26939
Додати до обраних
Обраний товар
| FS | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Idd, A: 70 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2250/120 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| RFP70N06 | onsemi | MOSFETs N-Ch Power MOSFET | на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP70N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP70N06 | ONS/FAI | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP70N06S5001 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP70N06S5001 | Harris Corporation | Description: 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP72100 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP75-50 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP75-50RCG-2 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP75N03 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP75N06 | на замовлення 7575 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP7N35 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP7N35 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP7N40 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP7N40 | на замовлення 6828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8N18 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8N18L | на замовлення 6829 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8N20 | на замовлення 6830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8N20 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP8N20L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P03L | на замовлення 4222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P05 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP8P05 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB P-Ch Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP8P05 | на замовлення 6831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P05+ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P06 | на замовлення 6832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P06E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P06LE | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P06LE | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP8P08 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - RFP8P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFP8P10 Код товару: 106900
Додати до обраних
Обраний товар
| HARRIS | Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFP8P10 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFP8P10 | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 29973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RFPA0133 | Qorvo | RF Amplifier 380-960MHz Gain 32dB Pout 30dBm CW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RFPA0133PCK-410 | Qorvo | RF Development Tools 380-960 MHz Prog Gain High Eff PA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133PCK-411 | Qorvo | RF Development Tools 380-960 MHz Prog Gain High Eff PA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133SR | Qorvo | RF Amplifier 380-960MHz SSG 32dB 1W CW at 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133TR7 | RFMD | Description: IC PROG PWR AMP 16-QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133TR7 | RFMD | Description: IC PROG PWR AMP 16-QFN | на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133TR7 | Qorvo | RF Amplifier 380-960MHz Gain 32dB Pout 30dBm CW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133TR7 | RFMD | Description: IC PROG PWR AMP 16-QFN | на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0133TR7 Код товару: 151698
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Радіомодулі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RFPA0802SR | Qorvo | RF Amplifier 700-950MHz Gain 28dB NF 3.7dB PAE26% | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0805TR13 | Qorvo | RF Amplifier 729-756MHz ain 30dB NF 6.6dB -40C +85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA0875TR13 | Qorvo | RF Amplifier 869-894MHz Gain 29dB NF 5.7dB -40C +85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1012TR7 | Qorvo | RF Amplifier 400-2700MHz NF 3.5dB OIP3 44dBm @ 900MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1545TR13 | Qorvo | RF Amplifier 150-1000MHz Gain17dB -40C +105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1702TR13 | Qorvo | RF Amplifier 17.7-19.7GHz Gain 23dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1702TR7 | Qorvo | RF Amplifier 17.7-19.7GHz P1dB 31dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1802PCK-410 | Qorvo | RF Development Tools 1.6-2.0 GHz Integrated PA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1802TR7 | Qorvo | RF Amplifier 1.6-2GHz NF 3.3dB -30C +85C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1805TR13 | Qorvo | RF Amplifier 1805-1880MHz 5V Gain 33dB NF 5.2dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA1905TR13 | Qorvo | RF Amplifier 1930-1990MHz 5V Gain 31dB NF 5.3dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2002SR | Qorvo | RF Amplifier 1.75-2.2GHz PAE 27% Gain 278dB NF 3.5dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2013TR7 | Qorvo | RF Amplifier 400-2700MHz NF 3.8dB Gain 15.7dB @2140MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2016TR13 | Qorvo | RF Amplifier 700-2700MHz 1W Gain 36dB @2140MHz | на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2025TR13 | Qorvo | RF Amplifier 2.11-2.17GHz 5V Gain 31dB NF 5.2dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2026PCK-410 | Qorvo | RF Development Tools Evaluation Board Kit - RFPA2026 # 750MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2026PCK-411 | Qorvo | RF Development Tools Evaluation Board Kit - RFPA2026 # 2140MH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2026PCK-412 | Qorvo | RF Development Tools Evaluation Board Kit - RFPA2026 # 2650MH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2026SR | Qorvo | RF Amplifier 320W Peak Pwr Limter 1 - 2 GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2026TR13 | Qorvo | RF Amplifier 700-2700MHz 2W Gain 38dB @2140MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RFPA2172 | Qorvo | RF Amplifier 400-2500MHz Pout 23.5dBm @2.5GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

