Продукція > UJ3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UJ3N120070K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| UJ3N120070K3S | onsemi | JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3 | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| UJ3N120070K3S | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 254W Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: -20...20V Drain current: 24.5A Gate charge: 116nC On-state resistance: 154mΩ Power dissipation: 254W Pulsed drain current: 85A Case: TO247-3 Kind of transistor: cascode Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |