UJ3N120070K3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
Power - Max: 254 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1312.09 грн |
| 30+ | 793.16 грн |
| 120+ | 711.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N120070K3S onsemi
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3N120070K3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N120070K3S | onsemi |
JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3 |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UJ3N120070K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ3N120070K3S |
|
Виробник: onsemi
JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3
JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3N120070K3S |
|
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)