Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA949-Y(T6ONK1,FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(T6ONK1,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(T6SHRP,FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(T6SHRP,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(TE6,C,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(TE6,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y,F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y,ONK-1F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y,ONK-1F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y,ONK-1F(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA949-Y,ONK-1F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950 Код товару: 152660
Додати до обраних
Обраний товар
| Secos | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 120 МГц Напруга Uке, В: 30 В Напруга Uкб, В: 35 В Струм Iк, А: 0,8 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 320 | у наявності: 21 шт
|
| ||||||||
| 2SA950-O | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-O(TPE2) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-O-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.8A TO-92 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-O-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-O-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-O-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y | TOSHIBA | TO92 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y(T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y(TE2,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y(TPE2) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y(TPE2,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y-AP | --- | TRANS PNP 30V 0.8A TO92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.8A TO-92 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.8A TO-92 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA950-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA952 Код товару: 152661
Додати до обраних
Обраний товар
| NEC | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 160 МГц Напруга Uке, В: 25 В Напруга Uкб, В: 30 В Струм Iк, А: 0,7 А | у наявності: 19 шт
|
| ||||||||
| 2SA952 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA952-A | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 1385247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA952-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA952-A | Renesas | Trans GP BJT PNP 25V 0.7A 600mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 1384247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA952-T-A | Renesas | Bipolar Power Transistor | на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA952-T-A | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk | на замовлення 957500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA952-T-A | Renesas | Description: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA952-T-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA953 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA953-A | Renesas | Trans GP BJT PNP 60V 0.3A 600mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 10842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA953-A | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP 60V 0.3A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 10858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA954 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA954-A | NEC Corporation | 2SA954-A | на замовлення 26669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA954-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA954-A | NEC Corporation | Description: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 59704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA954-A | NEC Corporation | 2SA954-A | на замовлення 32976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA954-T-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA957 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA958 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA959 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA96 | на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA963 | TOS | 00+ TO126 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965 | Toshiba | PNP, 120V, 0.8A, 120MHz, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-O(TE6,C,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-O(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-O(TE6,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-O(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-O,F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-O,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y | Toshiba | PNP, 120V, 0.8A, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y Код товару: 102180
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y | TOS | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SA965-Y(F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y(T6CANO,FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y(T6CANO,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y(TE6,F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT X35A Pb FREE POWER TRANSISTOR; LSTM; MOQ=3000; PC=900MW; F=100KHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,SWFF(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,SWFF(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,T6F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,T6F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,T6KOJPF(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y,T6KOJPF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA965-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA966 Код товару: 152662
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92MOD Гранична частота fT, МГц: 120 МГц Напруга Uке, В: 30 В Напруга Uкб, В: 30 В Струм Iк, А: 1,5 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 320 | у наявності: 6 шт
|
| ||||||||
| 2SA966-O(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA966-OTPE6C | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA966-Y(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA966-Y,F(J | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA968 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA968 Код товару: 45484
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 160 В Напруга Uкб, В: 160 В Струм Iк, А: 1,5 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 240 | у наявності: 2 шт
|
| |||||||||
| 2SA968 | KEC | TO-220 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA968B Код товару: 147276
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SA97 | на замовлення 3668 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA970 | EVVO | Description: SILICON PNP TRANSISTOR IN A TO-9 Packaging: Bag | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA970 Код товару: 32412
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 120 В Напруга Uкб, В: 120 В Струм Iк, А: 0,1 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 700 | у наявності: 367 шт
|
| ||||||||
| 2SA970 | LGE | PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA970 | LGE | PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA970+2SC2240 | ARK | PNP+NPN 100mA 120V 300mW 100MHz It's not complementary pair of two transistors -two transistors for complemented 2SA970+2SC2240 (set) (not a complementary Pair!) T2SA970/2sc2240 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SA970-BL | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA970-BL | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 3918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

