Продукція > BCP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCP53 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.2A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53 | NXP | Transistor PNP; 250; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BCP53TA; BCP53T1G TBCP53t1g кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53 | EVVO | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-3L Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-223 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53 | SHIKUES | Transistor PNP; 250; 1,3W; 80V; 1A; 115MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP53,115; BCP53T1G; BCP53TA; BCP53 SHIKUES TBCP53 SHK кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53 T/R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | BCP53,115 Транзисторы | на замовлення 9708 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCP53,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 145, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53,115 | NXP | PNP SOT-223 80V 1A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | NXP | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R BCP53.115; BCP53,115 TBCP53 NXP кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCP53/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 44490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz | на замовлення 3169 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP53-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 | NXP | Tranzystor PNP; 160; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP53-10T1G; BCP53-10.115; BCP53-10,115 TBCP5310 кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W | на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP53-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCP53-10/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10,115 | NXP | Tranzystor PNP; 160; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP53-10T1G; BCP53-10.115; BCP53-10,115 TBCP5310 кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCP53-10/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 650 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 650 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10E6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10E6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP53-10E6327 - BCP53 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS 80V 1A PG-SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10E6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10H | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10H,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-10H,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Packaging: Bulk Operating Temperature: 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10H-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10H-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10H-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 725 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10H115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCP53-10H - 80 V, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10HX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2.2W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2.2W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 140MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.2 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.2 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10HX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T-QF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-10T1 - BCP53-10T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1 | ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 100V PNP | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 339 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 4134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | ON-Semiconductor | Transistor PNP; 160; 1,5W, 80V; 1,5A; 50MHz, -55°C ~ 150°C; BCP53-10T1G ONS TBCP5310 ONS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10TF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A PNP BJT | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCP53-10TF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP53-10TF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

