BCP53,115 NEXPERIA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 4.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP53,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCP53,115 за ціною від 7.57 грн до 63.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP53,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 44490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 18371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 6655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| BCP53,115 | Виробник : NXP |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R BCP53.115; BCP53,115 TBCP53 NXPкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BCP53,115 |
BCP53,115 Транзисторы |
на замовлення 9708 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||
| BCP53,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 145; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-223 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товару немає в наявності |





