Продукція > mur
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| MURTA50020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A 50P/35 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V500A100P/71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50060 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V500A200P/141 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA50060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA600120 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA600120 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA600120R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA600120R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 600A Si Super Fast Recovery | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURU1620 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MURW-5MFP-30 | Murrelektronik | Specialised Cables 5 PL MIN M-F EXT, SEOOW 30' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| MURW-5MFP-6 | Murrelektronik | Specialised Cables 5 PL MIN M-F EXT, SEOOW 6' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| MURX140-T | MIC | 08+ SOD-123 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |