Продукція > Si4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI499 | ALUTRONIC | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK Type of heat transfer pad: silicone Application: for quartz Material: glass fiber reinforced silicone Thickness: 0.23mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...200°C Dielectric strength: 5kV Dimensions: 12x5mm Mounting: glued | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||
| SI4992DY | VISHAY | 09+ | на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| SI4992DY-T1-E3 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4992EY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4992EY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4992EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SI4992EY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4992EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SI49A | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4C03-8 | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4C24-8 | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4L60AF | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4L62AF-L13 | на замовлення 106 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| SI4X35 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |