Продукція > 2SB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1132T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100P | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100P | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132T100Q | Rohm | TRANSISTOR PNP 32V 1A SO-89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100Q Код товару: 73435
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SB1132T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A SO-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100R Код товару: 203151
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SB1132T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1132T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1132T100R | Rohm | Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 1 А, ft, МГц = 150, hFE = 180 @ 100 мA, 3 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1133 | на замовлення 15247 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1133R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1133R - 2SB1133R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1133R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1133R | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1134 | LJ ENTERPRISE | n/a | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1134R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 19954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1134R | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 21054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1134R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1134R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1134R - 2SB1134R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1134S | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1135 | на замовлення 11325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1135R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1135R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1135R - 2SB1135R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1135R | Sanyo | Description: TRANS PNP 50V 7A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 32253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1135R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 30730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1135S | SANYO | TO-220 | на замовлення 11550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1136R | Sanyo Electric | 2SB1136R | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1136R | Sanyo | Description: TRANS PNP 50V 12A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 4510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1136R | Sanyo Electric | 2SB1136R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB114 | NEC | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140 | на замовлення 5687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1140-R-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-R-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-R-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-R-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANSISTOR TO-92 MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-S-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-S-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-S-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANSISTOR TO-92 MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140-S-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1140T | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1140T - 2SB1140T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1140T | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3-Pin TO-126ML | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1140T | Sanyo | Description: 2SB1140 - PNP EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk | на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1141 | на замовлення 5784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1142 | SANYO | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SB1143 | HIT | 09+ | на замовлення 16818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1143 Код товару: 152667
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Гранична частота fT, MHz: 150 MHz Напруга Uке, V: 60 V Напруга Uкб, V: 60 V Струм Iк, A: 4 A | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||
| 2SB1143S | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML Packaging: Bag Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 200026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1143S | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1143S | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126ML Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bag Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1143S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1143S - 2SB1143 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 289136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1143S | SANYO | Ј°Ј¶Ј« QFN | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1143T | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1143T | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1143T - 2SB1143T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1143T | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1143T | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML Packaging: Bag Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126ML Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1144S | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126ML | на замовлення 7328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1144S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1144S - 2SB1144S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1144S | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: TO-126ML Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | на замовлення 13694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1144S | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126ML | на замовлення 6366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1148A-P | PANASONIC | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1149 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1149-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 280 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1149-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB115 | NEC | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1150-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP DARL 70V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 1.3 W | на замовлення 4317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1150-AZ | Renesas | Trans Darlington PNP 70V 3A 3-Pin TO-126 | на замовлення 4317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1151 | FSC | 09+ | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-AZ | Renesas | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin TO-126 | на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1151-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126 Supplier Device Package: TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 7546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1151-AZ | Renesas | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin TO-126 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1151-G-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-G-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-G-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-G-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-O-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-O-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-O-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-O-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-S1-AZ | Renesas | 2SB1151-S1-AZ | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1151-S1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126 Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SB1151-Y-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-Y-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-Y-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 60V 5A TO-126 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1151-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1152 | на замовлення 5874 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1153 | на замовлення 2047 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1154 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB11540Q | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 80V 10A TOP-3F-A1 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TOP-3F-A1 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TOP-3F Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB11560P | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 80V 20A TOP-3F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB116 | NEC | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1163 | на замовлення 2365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1165 | на замовлення 20368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB1165S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB1165S - 2SB1165S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

