Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1132T100R
2SB1132T100R

2SB1132T100R Rohm Semiconductor

2sb1132.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
329+46.54 грн
500+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1132T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1132T100R за ціною від 14.40 грн до 52.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1132T100R 2SB1132T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.87 грн
11+31.50 грн
100+20.20 грн
500+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R Виробник : ROHM Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.83 грн
11+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T 100R Виробник : ROHM
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R Виробник : ROHM 09+
на замовлення 87986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R Виробник : Rohm 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 1 А; ft, МГц = 150; hFE = 180 @ 100 мA, 3 В; Icutoff-max = 500 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R
Код товару: 203151
Додати до обраних Обраний товар

2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1132T100R 2SB1132T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2SB1132%2C2SA1515S%2C2SB1237.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.