Продукція > mmb

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 90 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT3904HRFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904KonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904K
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904Lonsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LTaiwan Semiconductor CorporationDescription: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0,3mW NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorTRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 85392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFGTaiwan SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
6000+1.92 грн
9000+1.80 грн
15000+1.56 грн
21000+1.49 грн
30000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L-T1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L-UA RFTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TAIWAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L-UA RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: TAIWAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L3-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1006-3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904L3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LPGOODWORKDescription: 200mA 40V 400mW DFN1006-3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
на замовлення 715444 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7DiodesTRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: X1-DFN1006-3
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDiodes INC.Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.28 грн
25+17.63 грн
50+14.41 грн
100+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LP-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 207883 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1onsemiBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1 SOT23-1AMON
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1(1AM)
на замовлення 11241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1(1AM*)
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1(ZA)
на замовлення 30247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1/1AM
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1100-30
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1100-300
на замовлення 69009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT11AM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4998000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6277+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 6277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE
на замовлення 365866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GNPN 40V, 0.2A, general purpose transistor SOT-23-3
на замовлення 955 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
140+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GOn SemiconductorNPN 40V SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4998000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 995430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 302169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.74 грн
103+7.33 грн
164+4.62 грн
500+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6551+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7654+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 7654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 16975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
74+5.70 грн
87+4.86 грн
127+3.32 грн
148+2.84 грн
500+2.10 грн
1000+1.81 грн
1500+1.67 грн
3000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON-SemiconductorNPN 200mA 40V 330mW 300MHz Possible substitute: PMBT3904,215 MMBT3904LT1G ONS TMMBT3904lt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
600+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.61 грн
103+7.33 грн
164+4.62 грн
500+3.39 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 995430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 302169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
54+5.66 грн
100+3.48 грн
500+2.36 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1G SOT23-1AM PON
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1G /ONS
Код товару: 58026
1 Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,2 А
Монтаж: SMD
у наявності: 2238 шт
  • 1743 шт - склад
  • 155 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 340 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 21 шт
  • 21 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
10+2.00 грн
12+1.70 грн
100+1.40 грн
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1G(1AM)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1G-ON
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1GSOT23-1AMPB-FREE
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HonsemiDescription: MMBT3904 - NPN SILICON SWITCHING
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
6000+4.53 грн
9000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A
на замовлення 202099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
6000+4.53 грн
9000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 59079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7093+4.99 грн
10000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 7093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1J
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1S
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1SOT23-1AM
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT1XTInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A
на замовлення 77394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3onsemiDescription: TRANS NPN 40V 200MA SOT23
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3MOTOROLA
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GONN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 47364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 47227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GOn SemiconductorTRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+10.74 грн
94+8.11 грн
108+6.99 грн
175+4.16 грн
250+3.81 грн
500+2.97 грн
1000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 90 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]