MMBT3904LT3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.40 грн |
| 20000+ | 1.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3904LT3G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT3904LT3G за ціною від 1.10 грн до 10.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 201578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN |
на замовлення 177390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT3G | Виробник : ONN |
|
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBT3904LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| MMBT3904LT3G | Виробник : On Semiconductor |
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
MMBT3904LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
товару немає в наявності |