Продукція > ONSEMI > MMBT3904LT3G
MMBT3904LT3G

MMBT3904LT3G onsemi

mmbt3904lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.39 грн
20000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3904LT3G за ціною від 1.29 грн до 21.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+3.21 грн
6277+2.25 грн
6819+2.07 грн
9375+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 4412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
55+5.52 грн
100+3.37 грн
500+2.28 грн
1000+2.00 грн
2000+1.76 грн
5000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.32 грн
250+5.01 грн
1000+2.66 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 130468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.64 грн
55+5.86 грн
100+3.17 грн
500+2.34 грн
1000+1.79 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+10.29 грн
107+7.07 грн
113+6.70 грн
175+4.16 грн
250+3.67 грн
500+2.75 грн
1000+1.93 грн
3000+1.78 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.46 грн
87+9.32 грн
250+5.01 грн
1000+2.66 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONN mmbt3904lt1-d.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4412+3.21 грн
6277+2.25 грн
6819+2.07 грн
9375+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 4412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 90805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.30 грн
55+5.52 грн
100+3.37 грн
500+2.28 грн
1000+2.00 грн
2000+1.76 грн
5000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3904LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.32 грн
250+5.01 грн
1000+2.66 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 130468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.64 грн
55+5.86 грн
100+3.17 грн
500+2.34 грн
1000+1.79 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
74+10.29 грн
107+7.07 грн
113+6.70 грн
175+4.16 грн
250+3.67 грн
500+2.75 грн
1000+1.93 грн
3000+1.78 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3904LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+21.46 грн
87+9.32 грн
250+5.01 грн
1000+2.66 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.