Продукція > ONSEMI > MMBT3904LT3G
MMBT3904LT3G

MMBT3904LT3G onsemi

mmbt3904lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.38 грн
54+5.65 грн
100+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3904LT3G за ціною від 1.17 грн до 10.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+10.26 грн
107+7.06 грн
113+6.69 грн
175+4.15 грн
250+3.66 грн
500+2.74 грн
1000+1.93 грн
3000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 137096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONN mmbt3904lt1-d.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+10.26 грн
107+7.06 грн
113+6.69 грн
175+4.15 грн
250+3.66 грн
500+2.74 грн
1000+1.93 грн
3000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 137096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3904LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3904LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1d.pdf
MMBT3904LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G mmbt3904lt1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.