Продукція > rs7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS7P200BMTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DFN5060-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RS7P200BMTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: DFN5060-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RS7P200BMTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs DFN 100V 200A N-CH | на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RS7P200BMTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DFN5060-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RS7R125CHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs DFN 150V 125A N-CH | на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |