Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS7P200BMTB1
RS7P200BMTB1

RS7P200BMTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RS7P200BM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN 100V 200A N-CH
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.93 грн
10+227.85 грн
100+141.52 грн
500+133.93 грн
1000+127.02 грн
2500+113.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS7P200BMTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: DFN5060-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RS7P200BMTB1 за ціною від 134.43 грн до 386.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS7P200BMTB1 RS7P200BMTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS7P200BM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
10+226.75 грн
100+161.60 грн
500+134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1 RS7P200BMTB1 ROHM rs7p200bmtb1-e.pdf Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.59 грн
10+256.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1 datasheet?p=RS7P200BM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS7P200BMTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.14 грн
10+226.75 грн
100+161.60 грн
500+134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1 rs7p200bmtb1-e.pdf
RS7P200BMTB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+386.59 грн
10+256.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.