Продукція > ROHM > RS7P200BMTB1
RS7P200BMTB1

RS7P200BMTB1 ROHM

rs7p200bmtb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.30 грн
10+226.65 грн
100+203.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS7P200BMTB1 ROHM

Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: DFN5060-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RS7P200BMTB1 за ціною від 115.31 грн до 358.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RS7P200BMTB1 RS7P200BMTB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS7P200BM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN 100V 200A N-CH
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.21 грн
10+230.65 грн
100+143.26 грн
500+135.57 грн
1000+128.58 грн
2500+115.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1 RS7P200BMTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS7P200BM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.50 грн
10+229.54 грн
100+163.59 грн
500+136.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS7P200BMTB1 RS7P200BMTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS7P200BM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN5060-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.