Продукція > SMM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMMBT6520LT1 | onsemi | Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILI Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6520LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT6520LT1 - HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 50V | на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 11893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBT6521LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT6521LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 615000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2733000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR | на замовлення 50312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | на замовлення 3591 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 42497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 55900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2733000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 682 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR | на замовлення 53819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 32323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 80V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA06WT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1 | onsemi | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 14298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1G | onsemi | Darlington Transistors SS DL XSTR NPN 30V | на замовлення 8257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA13LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBTA13LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | onsemi | Darlington Transistors SS DL XSTR NPN 30V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 3742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT3G | onsemi | Darlington Transistors NPN Bipolar Darlington Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR | на замовлення 11632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA42LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR | на замовлення 6090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | на замовлення 303 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR | на замовлення 29999 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |

