
SMMBT2907ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBT2907ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SMMBT2907ALT1G за ціною від 1.84 грн до 23.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 33980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 491737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 20128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 33980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
SMMBT2907ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |