Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SMMBT2907ALT1G
SMMBT2907ALT1G

SMMBT2907ALT1G ON Semiconductor

mmbt2907alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT2907ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SMMBT2907ALT1G за ціною від 1.89 грн до 23.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
9000+2.33 грн
24000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.23 грн
6000+2.78 грн
9000+2.62 грн
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2773+4.39 грн
2858+4.26 грн
5000+4.15 грн
10000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 2773
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2101+5.79 грн
2125+5.73 грн
2149+5.66 грн
3100+3.79 грн
3938+2.76 грн
6000+2.33 грн
15000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 2101
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : onsemi MMBT2907ALT1_D-1811514.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 472602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.62 грн
48+7.17 грн
100+4.33 грн
500+3.45 грн
1000+3.23 грн
3000+2.50 грн
6000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
33+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+18.38 грн
42+14.56 грн
44+13.94 грн
113+5.19 грн
250+4.75 грн
500+4.51 грн
1000+3.13 грн
3000+2.46 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.38 грн
51+16.22 грн
100+9.55 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SMMBT2907ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2907ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.