Продукція > DS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1249Y-85 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1249Y-85# | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1249Y-85IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1249Y-85IND# | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1249Y-85IND# | ANALOG DEVICES | Description: ANALOG DEVICES - DS1249Y-85IND# - NVRAM, NVSRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, Parallel, 85 ns, EDIP tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: EDIP hazardous: false MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 85 usEccn: TBC Speicherkonfiguration NVRAM: 256K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.5 euEccn: TBC Speichergröße: 2 Anzahl der Pins: 32 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 Speicher: NVSRAM SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1249Y-85IND# | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 2Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1249Y-85IND# | Maxim Integrated | NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS125 | DALLAS | 02+ DIP | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS125-6-2G | EHC (ELECTRONIC HARDWARE) | Description: EHC (ELECTRONIC HARDWARE) - DS125-6-2G - CRANK HANDLE ROUND KNOB, 6.35MM tariffCode: 82041100 productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Welle: Round Shaft Knopfform: Round with Crank Handle Knopfdurchmesser: 31.75mm Material des Knopfs: Plastic Wellendurchmesser: 6.35mm euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: DESIGNER Series | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250 | DALLAS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DS1250AB-100 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250AB-100+ | Maxim Integrated | NVRAM 4096K NV SRAM | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100+ | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-100IND+ | Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-120 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250AB-70+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70+ | Maxim | EDIP 32/C°/4096K NONVOLATILE SRAM DS1250 кількість в упаковці: 11 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250AB-70+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70IND | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70IND | Maxim Integrated | Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70IND+ | Maxim | MOD/I°/4096K NONVOLATILE SRAM DS1250 кількість в упаковці: 11 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250AB-70IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250AB-70IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250ABP-100 | DALLAS | 2010+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-100+ | Maxim | PWRCP/C°/4096k Nonvolatile SRAM DS1250PWRCP кількість в упаковці: 40 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250ABP-100IND | DALLAS | 2010+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tube Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70 | DALLAS | 2010+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70+ | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70+ | Maxim Integrated | NVRAM 4096K NV SRAM | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70IND | DALLAS | 2010+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250ABP-70IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tube Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70IND+ | Maxim Integrated | NVRAM 4096K NV SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250ABP-70IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250BL-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM Packaging: Tube Package / Case: 34-LPM Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-LPM Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250BL-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM Packaging: Tube Package / Case: 34-LPM Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-LPM Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250BL-70 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM Packaging: Tube Package / Case: 34-LPM Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-LPM Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250BL-70-IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM Packaging: Tube Package / Case: 34-LPM Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-LPM Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100+ | Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100+ | Maxim | MOD/CIVIL/3.3V 4096K NONVOLATILE SRAM DS1250 кількість в упаковці: 11 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250W-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250W-100IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100IND | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250W-100IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-100IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-120 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-120IND | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-150 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-150+ | Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250W-150IND | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100 | DS | PLCC 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 34-Pin PowerCap Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100+ | Maxim | 4096K Nonvolatile SRAM DS1250 кількість в упаковці: 40 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tray Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100IND+ | Maxim Integrated | NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-150 | DALLAS | 2001 | на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 150 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 34-PowerCap™ Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250WP-150 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP Packaging: Tube Package / Case: 34-PowerCap™ Module Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 34-PowerCap Module Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250WP-150+ | Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT 150NS 34PCM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250Y-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100+ | Maxim | 4096K Nonvolatile SRAM DS1250 DLSDS1250Y100 кількість в упаковці: 11 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 32-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100IND | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DS1250Y-100IND+ | Maxim | MOD/E/RAM NV 4MEG 10% VTP 100NS IND PBFRE DS1250MOD кількість в упаковці: 11 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100IND+ | Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-100IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1250Y-120 | DALLAS | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

