DS1245W-100IND
Виробник: на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245W-100IND
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1245W-100IND
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1245W-100IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||
| DS1245W-100IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
DS1245W-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP |
товару немає в наявності |
|
 |
DS1245W-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
 |
DS1245W-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |