Продукція > 1HP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET PCH 80MA 100V SOT-23 | на замовлення 3074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 0.17A 3-Pin CPH T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 1HP04CH-TL-W | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA Supplier Device Package: 3-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 1HP04CH-TL-W | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 600mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 57003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 1HP04CH-TL-W | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA Supplier Device Package: 3-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 20 V | на замовлення 23205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 0.17A 3-Pin CPH T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 1HP04CH-TL-W | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 57003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 1HP04CH-TL-W | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA Supplier Device Package: 3-CPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 1HPAC1XB1X600ME | Honeywell | Aerospace-Grade Pressure Switch High Pressure Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |