1HP04CH-TL-W ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 600mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 600mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1HP04CH-TL-W ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 1HP04CH-TL-W за ціною від 18.33 грн до 22.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1HP04CH-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 600mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 57003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
1HP04CH-TL-W | Виробник : onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH |
на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
1HP04CH-TL-W | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET PCH 80MA 100V SOT-23 |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
1HP04CH-TL-W | Виробник : onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |