НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
60N03H00+
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N03LFAIRCHID00+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N06IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N06Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
10+ 39.07 грн
100+ 27.04 грн
500+ 21.21 грн
1000+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
60N06GOFORD SemiconductorN-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.7 грн
15000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
60N06Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
товар відсутній
60N06N/A09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60N06Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.84 грн
15000+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
60N50TPAnarenHigh Frequency/RF Resistors
товар відсутній
60N50TPTTM Technologies, Inc.Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 60W
Packaging: Tray
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 6 GHz
товар відсутній
60N50TPCTTM Technologies, Inc.Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 60W
Packaging: Tray
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 3 GHz
товар відсутній
60N50TPCAnaren IncFlanged Termination 50Ohm 2-Pin
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60N50TPCAnarenHigh Frequency/RF Resistors
товар відсутній
60N50TPRAnarenHigh Frequency/RF Resistors
товар відсутній
60N50TPRTTM Technologies, Inc.Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 60W
Packaging: Tray
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 3 GHz
товар відсутній
60N6S2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60NC-120AHNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60NC4FXSwitchcraftCircular DIN Connectors 4P DIN PANEL MNT
товар відсутній
60NF06IR09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
60NO-120AHNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)