Продукція > 60N

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
60N03(TO-252)GOODWORKDescription: 30V 60A 4.3m@10V TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N03DFGOODWORKDescription: 30V 60A 7m@10V PDFN3x3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N03H00+
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N03LFAIRCHID00+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N04GOODWORKDescription: 40V 60A 5.5m@10V TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N06IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N06Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N06GOFORD SemiconductorN-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.10 грн
15000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N06GOFORD SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 60W
Gate charge: 54nC
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
60N06Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.29 грн
100+29.59 грн
500+21.42 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N10WXDHTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 17mOhm; 59A; 230W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3710; IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; 60N10 DONGHAI TDH60n10
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPAnarenHigh Frequency/RF Resistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPTTM Technologies, Inc.Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 60W
Packaging: Tray
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 6 GHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPTTM TechnologiesHigh Frequency/RF Resistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPCAnaren IncFlanged Termination 50Ohm 2-Pin
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPCTTM TechnologiesHigh Frequency/RF Resistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPCTTM Technologies, Inc.Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 60W
Packaging: Tray
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 3 GHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPCAnarenHigh Frequency/RF Resistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPRTTM TechnologiesHigh Frequency/RF Resistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPRAnarenHigh Frequency/RF Resistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N50TPRTTM Technologies, Inc.Description: RF ATTENUATOR 50OHM
Power (Watts): 60W
Packaging: Tray
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency Range: 0 Hz ~ 3 GHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60N6S2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60NC-120AHNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60NC4FXSwitchcraftCircular DIN Connectors 4P DIN PANEL MNT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
60NF06IR09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60NO-120AHNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.