60N06 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.69 грн |
| 10+ | 42.27 грн |
| 100+ | 27.64 грн |
| 500+ | 20.03 грн |
| 1000+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 60N06 Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 55A, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench, Gate charge: 54nC, Power dissipation: 60W.
Інші пропозиції 60N06 за ціною від 15.44 грн до 16.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 60N06 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 60N06 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 60N06 | Виробник : N/A |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
|
60N06 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||
| 60N06 | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 55A Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: Trench Gate charge: 54nC Power dissipation: 60W |
товару немає в наявності |