60N06

60N06 Goford Semiconductor


60N06.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
на замовлення 2410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+47.67 грн
100+31.25 грн
500+22.71 грн
1000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 60N06 Goford Semiconductor

N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252.

Інші пропозиції 60N06 за ціною від 12.28 грн до 14.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
60N06 Виробник : GOFORD Semiconductor 60N06.pdf N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.80 грн
15000+13.67 грн
30000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 Виробник : IR 60N06.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 Виробник : N/A 60N06.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
60N06 60N06 Виробник : Goford Semiconductor 60N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.