
60N06 Goford Semiconductor

Description: N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 78.79 грн |
10+ | 47.67 грн |
100+ | 31.25 грн |
500+ | 22.71 грн |
1000+ | 20.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 60N06 Goford Semiconductor
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2V,TO-252.
Інші пропозиції 60N06 за ціною від 12.28 грн до 14.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
60N06 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
![]() |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
60N06 | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
60N06 | Виробник : N/A |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
60N06 | Виробник : Goford Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |