Продукція > BXK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BXK4L-8AHoneywellLimit Switches HAZARDOUS LOCATION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.15 грн
34+23.84 грн
100+13.43 грн
500+9.96 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.43 грн
500+9.96 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60AJNexperiaMOSFET BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.56 грн
13+24.13 грн
100+14.31 грн
1000+8.04 грн
3000+7.36 грн
12000+6.47 грн
27000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60ENexperiaMOSFET BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.56 грн
13+24.13 грн
100+14.31 грн
1000+8.04 грн
3000+7.36 грн
12000+6.47 грн
27000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNexperia USA Inc.Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.62 грн
13+24.06 грн
100+15.33 грн
500+10.83 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.99 грн
34+23.92 грн
100+13.27 грн
500+9.82 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNexperiaMOSFETs BXK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.56 грн
14+22.48 грн
100+10.90 грн
1000+7.43 грн
3000+6.47 грн
9000+5.86 грн
24000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNexperia USA Inc.Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.