Продукція > BXK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BXK4L-8AHONEYWELLBXK4L8A-HON Limit Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BXK4L-8AHoneywellLimit Switches HAZARDOUS LOCATION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60AJNexperiaMOSFET BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.75 грн
13+26.73 грн
100+15.85 грн
1000+8.90 грн
3000+8.15 грн
12000+7.17 грн
27000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.18 грн
34+25.40 грн
100+14.31 грн
500+10.61 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BXK9Q29-60AJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.31 грн
500+10.61 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60ENexperiaMOSFET BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.75 грн
13+26.73 грн
100+15.85 грн
1000+8.90 грн
3000+8.15 грн
12000+7.17 грн
27000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNEXPERIADescription: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.01 грн
34+25.48 грн
100+14.14 грн
500+10.45 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNexperiaMOSFETs BXK9Q29-60E/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.75 грн
14+24.91 грн
100+12.07 грн
1000+8.23 грн
3000+7.17 грн
9000+6.49 грн
24000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNexperia USA Inc.Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BXK9Q29-60EJNexperia USA Inc.Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.26 грн
13+25.63 грн
100+16.33 грн
500+11.54 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BXKC-65E1501-B-14BRIDGELUXBXKC-65E1501-B-14 White power LEDs - COB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.