на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.85 грн |
| 14+ | 24.22 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 1000+ | 8.00 грн |
| 3000+ | 6.97 грн |
| 9000+ | 6.31 грн |
| 24000+ | 6.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXK9Q29-60EJ Nexperia
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BXK9Q29-60EJ за ціною від 6.99 грн до 42.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BXK9Q29-60EJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BXK9Q29-60EJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BXK9Q29-60EJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |