Продукція > BXW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| BXW03C75 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| BXW10M1K2H | BRIDGELUX | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 80.6W Gate charge: 29nC Technology: SiC Drain current: 10A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -3...20V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 610mΩ Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |