Продукція > BXW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BXW03C75
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BXW10M1K2HBRIDGELUXCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -3...20V
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 610mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 80.6W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.