Продукція > BYD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYD 57 J GEG SMD BYD57J | NXP | Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD100-DDT | Autonics | Description: SENSOR REFLECTIVE 100MM NPN Packaging: Bag Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 3.937" (100mm) Sensing Method: Reflective, Diffuse Operating Temperature: -20°C ~ 65°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 3ms Ingress Protection: IEC IP50 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Infrared LED | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD100-DDT | Autonics USA | Description: SENSOR, PHOTO, DIFFUSE REFLECTIV Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 3.937" (100mm) Sensing Method: Reflective, Diffuse Operating Temperature: -20°C ~ 65°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 3ms, 100ms Ingress Protection: IP50 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Infrared LED | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD13D | EIC | Diode 200V 1.4A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13D | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD13DBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.4A DO41 Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD13DGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 884pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13DGPHE3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13DGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13DGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13G | EIC | Diode 400V 1.4A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.4A DO41 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,400V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGP-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,400V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGPHE3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,400V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13GGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13J | EIC Semiconductor | Diode 600V 1.4A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A DO41 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,600V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,600V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP-E3/51 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP/51 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGP/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGPHE3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,600V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGPHE3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13JGPHE3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13K | EIC | Diode 800V 1.4A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13KBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.4A DO41 Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD13KGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13KGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13KGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13KGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13M | на замовлення 3930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD13M | EIC | Diode 1KV 1.4A 2-Pin DO-41 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13MGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,1000V,STD,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13MGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13MGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13MGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD13MGPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD147 | PHILIPS | на замовлення 7511 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BYD14G | PH | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD14K | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD14M | на замовлення 4510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD170 | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD17D | PHILIPS | 09+ | на замовлення 48518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17D,115 | NXP USA Inc. | Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A MELF Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: MELF Current - Average Rectified (Io): 1.5A Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 0V, 1MHz Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-87 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17D,115 BYD17D | NXP | General purpose controlled avalanche rectifier, 200V, 1.5A, SOD-87 (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17DA | EIC | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17DA | EIC | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17D | nxp | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17G | PHI | SOD87 | на замовлення 99795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17G T/R | NXP Semiconductors | Rectifiers TAPE-7 REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17G,115 | NXP USA Inc. | Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A MELF Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: MELF Current - Average Rectified (Io): 1.5A Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 0V, 1MHz Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-87 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17G/T1 | NXP | General purpose controlled avalanche rectifier, 400V, 1.5A, 0.93V@1A, SOD-87 (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17GA | EIC | Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD17J Код товару: 102208
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BYD17J | на замовлення 7645 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD17J,115 | NXP USA Inc. | Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A MELF Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-87 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: MELF Current - Average Rectified (Io): 1.5A Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 0V, 1MHz Technology: Avalanche | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17JA | EIC | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17JA | EIC | Rectifier Diode Switching 600V 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17K | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD17K,135 | NXP USA Inc. | Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A MELF Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: MELF Current - Average Rectified (Io): 1.5A Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 0V, 1MHz Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-87 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17KA | EIC | Rectifier Diode Switching 800V 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17M Код товару: 22328
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-87 Uзвор., V: 1000 V Iвипр., A: 1 A | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17M | NXP | 07+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17M /T3 | NXP Semiconductors | Rectifiers TAPE13 REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17M,115 | NXP Semiconductors | Rectifiers TAPE-7 REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17M,135 | NXP Semiconductors | Rectifiers TAPE13 REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17M/T3 | NXP/Nexperia/We-En | Випрямний лавиноподібний діод SMD, Uзвор, В = 1 000, If, А = 1,5, Тексп, °С = -65...+175,... Діоди Корпус: SOD-87 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 440 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD17MA | EIC | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 3000ns 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD17MT/R | NXP Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD251177 FBPT1255 | FBELE | П'єзовипромінювач 12x5.5mm змінн. сигн 9V 85dB 4kHz Аудіоперетворювачі | на замовлення 2500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD30-DDT-T | Autonics USA | Description: SENSOR, PHOTO, DIFFUSE REFLECTIV Packaging: Box Adjustment Type: Fixed Sensing Distance: 0.394" ~ 1.181" (10mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective Operating Temperature: -20°C ~ 65°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 3ms, 100ms Ingress Protection: IP50, IP64 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Infrared LED Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BYD33D | EIC Semiconductor | Diode Switching 200V 1.3A 2-Pin DO-41 Ammo/Bag/T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33D | на замовлення 4370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BYD33DGP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,150NS,FS,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,150NS,FS,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP-E3/51 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP/51 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGP/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGPHE3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,150NS,FS,AVALANCH SUPERECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGPHE3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BYD33DGPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

