Продукція > DIJ

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DIJ2A3N65	DIOTEC SEMICONDUCTOR	DIJ2A3N65-DIO THT N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DIJ2A3N65	Diotec Semiconductor	Description: MOSFET ITO-220AB N 650V 2.3A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DIJ2A3N65	Diotec Semiconductor	MOSFET MOSFET, ITO-220AB, 650V, 2.3A, 150C, N	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DIJ4A5N65	DIOTEC SEMICONDUCTOR	DIJ4A5N65-DIO THT N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DIJ4A5N65	Diotec Semiconductor	Description: MOSFET ITO-220AB N 650V 4.5A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.