НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIJ006N90DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ2A3N65DIOTEC SEMICONDUCTORDIJ2A3N65-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ2A3N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET ITO-220AB N 650V 2.3A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ2A3N65Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, ITO-220AB, 650V, 2.3A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ4A5N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET ITO-220AB N 650V 4.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ4A5N65DIOTECDescription: DIOTEC - DIJ4A5N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.3 ohm, ITO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: ITO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.01 грн
11+84.80 грн
100+51.24 грн
500+47.10 грн
1000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ4A5N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.7A; Idm: 28A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 22nC
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 46W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIJ4A5N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.7A; Idm: 28A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 22nC
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 46W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.