Продукція > FJB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FJB102onsemionsemi NPN DARL/3A/100V D2PAK
товар відсутній
FJB102TMONSEMIDescription: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FJB102TMonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
FJB102TMONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
товар відсутній
FJB102TMONSEMIDescription: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.62 грн
10+ 79.93 грн
100+ 52.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FJB102TMONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FJB102TM
Код товару: 171831		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.23 грн
11+ 56.07 грн
100+ 49.83 грн
800+ 33.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.8 грн
13+ 47.16 грн
25+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
FJB102TMonsemi / FairchildDarlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.91 грн
10+ 64.48 грн
100+ 45.75 грн
800+ 31.5 грн
2400+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
FJB102TMonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.36 грн
10+ 60.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
FJB3307DTMON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN 700V/8A Built-in Diode
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJB3307DTMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
товар відсутній
FJB5555TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.6W; D2PAK
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...40
Collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.6W
Mounting: SMD
товар відсутній
FJB5555TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJB5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A D2PAK
товар відсутній
FJB5555TMONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.6W; D2PAK
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Current gain: 10...40
Collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.6W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FJBE2150DTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJBE2150DTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
на замовлення 485139000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FJBE2150DTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 800V 2A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній