Продукція > FJB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJB102 | onsemi | onsemi NPN DARL/3A/100V D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. | на замовлення 14042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJB102TM | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | FJB102TM NPN SMD Darlington transistors | на замовлення 665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB102TM Код товару: 171831
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FJB3307DTM | ON Semiconductor / Fairchild | Darlington Transistors NPN 700V/8A Built-in Diode | на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB3307DTM | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB5555TM | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB5555TM | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 5A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJB5555TM | ONSEMI | FJB5555TM NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJBE2150DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 2A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJBE2150DTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor | на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FJBE2150DTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L | на замовлення 485139000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |