Продукція > FJB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FJB102onsemionsemi NPN DARL/3A/100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.64 грн
10+82.38 грн
21+53.20 грн
58+50.28 грн
250+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM
Код товару: 171831
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMONSEMIDescription: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.22 грн
250+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMonsemi / FairchildDarlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.41 грн
10+71.25 грн
100+43.99 грн
500+33.88 грн
800+30.56 грн
2400+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.42 грн
10+80.41 грн
100+53.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: D2PAK
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.04 грн
10+66.11 грн
21+44.33 грн
58+41.90 грн
250+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMONSEMIDescription: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.13 грн
11+83.13 грн
50+82.28 грн
100+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TMON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB3307DTMON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN 700V/8A Built-in Diode
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB3307DTMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB5555TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJB5555TMONSEMIFJB5555TM NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJBE2150DTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 800V 2A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJBE2150DTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJBE2150DTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
на замовлення 485139000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.