FJB102TM ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.88 грн |
| 250+ | 46.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJB102TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - HF-Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FJB102TM за ціною від 34.06 грн до 128.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJB102TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
на замовлення 8984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FJB102TM Код товару: 171831
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
товару немає в наявності |