Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > FJB102TM

FJB102TM

fjb102-d.pdf
Код товару: 171831
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FJB102TM за ціною від 48.81 грн до 126.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FJB102TM FJB102TM ONSEMI FJB102TM.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+70.45 грн
50+55.18 грн
100+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM onsemi fjb102-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.21 грн
100+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM onsemi fjb102-d.pdf Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 15715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM onsemi / Fairchild FJB102-D.pdf Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 16747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM ONSEMI ONSM-S-A0003586905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM ON Semiconductor 3665445706887215fjb102.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM ONSEMI ONSM-S-A0003586905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 80W
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102TM.pdf
FJB102TM
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.31 грн
10+70.45 грн
50+55.18 грн
100+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM fjb102-d.pdf
FJB102TM
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.19 грн
10+77.21 грн
100+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM fjb102-d.pdf
FJB102TM
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 15715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM FJB102-D.pdf
FJB102TM
Виробник: onsemi / Fairchild
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 16747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM ONSM-S-A0003586905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FJB102TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM 3665445706887215fjb102.pdf
FJB102TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJB102TM ONSM-S-A0003586905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FJB102TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 80W
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.