Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FJB102TM за ціною від 27.42 грн до 161.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJB102TM | onsemi / Fairchild |
 Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
на замовлення 16747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FJB102TM | onsemi |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
на замовлення 15715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJB102TM | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FJB102TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FJB102TM |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 16747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.21 грн |
| 10+ | 64.52 грн |
| 100+ | 40.25 грн |
| 500+ | 33.90 грн |
| 800+ | 27.42 грн |
| FJB102TM |
|
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
на замовлення 15715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.17 грн |
| 10+ | 75.95 грн |
| 100+ | 45.04 грн |
| 500+ | 41.30 грн |
| 800+ | 29.25 грн |
| 2400+ | 27.77 грн |
| 4800+ | 27.42 грн |
| FJB102TM |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.66 грн |
| 10+ | 78.11 грн |
| 100+ | 52.36 грн |
| FJB102TM |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 161.99 грн |
| 10+ | 101.96 грн |