Продукція > FJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FJD3076FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD3076TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 32V 2A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD3076TMonsemiDescription: TRANS NPN 32V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJD3076TMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD3305H1TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+48.00 грн
100+33.27 грн
500+26.09 грн
1000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD3305H1TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO252AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-252AA
Frequency - Transition: 4MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.27 грн
5000+19.96 грн
12500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFONSEMIDescription: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 13806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.34 грн
100+27.69 грн
500+20.07 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.77 грн
15+52.49 грн
25+49.77 грн
100+38.22 грн
250+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-252AA
Supplier Device Package: TO-252AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.33 грн
4000+16.21 грн
6000+15.48 грн
10000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFONSEMIDescription: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553onsemionsemi NPN/3A/400V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 3A TO-252AA
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-252AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TMonsemiBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
на замовлення 34613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TMONS/FAITRANS NPN 400V 3A TO252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 3A TO-252AA
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-252AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.34 грн
100+38.52 грн
500+28.16 грн
1000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TMON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
на замовлення 34801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5553TM
Код товару: 187870
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A TO-252AA
Power - Max: 1.34 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-252AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.01 грн
5000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5555TMonsemiBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
на замовлення 7150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5555TMonsemiDescription: TRANS NPN 400V 5A TO-252AA
Power - Max: 1.34 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-252AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.46 грн
100+37.25 грн
500+27.22 грн
1000+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5555TMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.