НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FJI340ADST09+ SOP20
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJI5603DTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJI5603DTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.03 грн
10+74.33 грн
100+61.71 грн
250+61.57 грн
500+56.82 грн
1000+51.18 грн
3000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FJI5603DTUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Case: I2PAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 3A
Current gain: 20...35
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 800V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FJI5603DTUonsemiDescription: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.74 грн
50+91.49 грн
100+82.27 грн
500+62.03 грн
1000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.