Продукція > FJI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJI340AD | ST | 09+ SOP20 | на замовлення 1033 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FJI5603DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FJI5603DTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FJI5603DTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 3A Power dissipation: 100W Current gain: 20...35 Mounting: THT Frequency: 5MHz Kind of package: tube Case: I2PAK | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FJI5603DTU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon | на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FJI5603DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |

