| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.71 грн |
| 10+ | 80.21 грн |
| 100+ | 66.58 грн |
| 250+ | 66.43 грн |
| 500+ | 61.32 грн |
| 1000+ | 55.22 грн |
| 3000+ | 55.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJI5603DTU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції FJI5603DTU за ціною від 55.30 грн до 196.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJI5603DTU | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FJI5603DTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FJI5603DTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.74 грн |
| 10+ | 95.17 грн |
| 100+ | 73.73 грн |
| 500+ | 59.36 грн |
| 1000+ | 55.30 грн |
| FJI5603DTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.00 грн |
| 50+ | 92.55 грн |
| 100+ | 83.23 грн |
| 500+ | 62.75 грн |
| 1000+ | 57.82 грн |