FJI5603DTU ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Case: I2PAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 3A
Current gain: 20...35
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 800V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 105.23 грн |
| 10+ | 86.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJI5603DTU ONSEMI
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції FJI5603DTU за ціною від 58.77 грн до 214.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FJI5603DTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK Case: I2PAK Type of transistor: NPN Kind of package: tube Mounting: THT Collector current: 3A Current gain: 20...35 Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 800V Frequency: 5MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FJI5603DTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJI5603DTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJI5603DTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
