FJI5603DTU ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 3A
Power dissipation: 100W
Current gain: 20...35
Mounting: THT
Frequency: 5MHz
Kind of package: tube
Case: I2PAK
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJI5603DTU ONSEMI
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Frequency - Transition: 5MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FJI5603DTU за ціною від 56.47 грн до 191.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJI5603DTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FJI5603DTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FJI5603DTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FJI5603DTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Frequency - Transition: 5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Frequency - Transition: 5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.40 грн |
| 50+ | 90.38 грн |
| 100+ | 81.28 грн |
| 500+ | 61.28 грн |
| 1000+ | 56.47 грн |
| FJI5603DTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FJI5603DTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)