на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.55 грн |
| 10+ | 81.22 грн |
| 100+ | 67.42 грн |
| 250+ | 67.27 грн |
| 500+ | 62.09 грн |
| 1000+ | 55.92 грн |
| 3000+ | 55.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJI5603DTU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції FJI5603DTU за ціною від 60.05 грн до 203.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJI5603DTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FJI5603DTU | Виробник : ONSEMI |
FJI5603DTU NPN THT transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
FJI5603DTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
