НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQH140N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQH18N50V2
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQH18N50V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+198.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQH18N50V2onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser
товар відсутній
FQH35N40Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+379.06 грн
Мінімальне замовлення: 57
FQH44N10ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH/100V/48A
товар відсутній
FQH44N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FQH44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQH44N10-F133ONSEMIDescription: ONSEMI - FQH44N10-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.49 грн
10+ 192.13 грн
100+ 153.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQH44N10-F133onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 100V 48A 3-Pin 3+Tab
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQH44N10-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FQH44N10-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+172.54 грн
10+ 143.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQH44N10-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQH44N10-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.72 грн
10+ 132.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQH44N10-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FQH44N10-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FQH44N10-F133Fairchild SemiconductorDescription: Power Field-Effect Transistor, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQH70N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQH8N100CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 225W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
товар відсутній
FQH8N100CON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQH8N100CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FQH8N100CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 225W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQH8N100CON Semiconductor / FairchildMOSFET 1000V N-Channel
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQH90N10V2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+217.47 грн
Мінімальне замовлення: 93
FQH90N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO-247
товар відсутній
FQHA0461-01
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQHM0323-00MX96+ PLCC
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQHM0323-00MX1996
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)